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美光公司于7月27日宣布，推出了業(yè)界首款8層24GB HBM3 Gen2內(nèi)存芯片。這款新型內(nèi)存芯片的總帶寬超過1.2TB/s，引腳速度超過9.2Gb/s，性能比HBM3提高了50%。 美光公司表示，HBM3 Gen2產(chǎn)品的每瓦性能是前幾代產(chǎn)品的2.5倍，為人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心的性能、容量和功率效率等關鍵指標創(chuàng)造了新的記錄。這款產(chǎn)品可以減少GPT-4等大型語言模型的訓練時間，并提供了卓越的總擁有成本（TCO）。 HBM3 Gen2的解決方案的基礎是1β（1-beta）工藝，這種工藝在行業(yè)標準封裝尺寸內(nèi)將24GB DRAM芯片組成了8層垂直堆疊的立方體。美光公司還在準備12層垂直堆疊的單品36GB DRAM芯片，與現(xiàn)有的競爭解決方案相比，美光提供的容量增加了50%。 根據(jù)美光公司公布的最新技術路線圖，2026年的“HBMNext”將進一步提高容量，可達到36GB至64GB，帶寬也會提升至超過1.5TB/s至2+TB/s。另外，美光明年將會帶來GDDR7，容量為16Gb至24Gb，每個數(shù)據(jù)I/O接口的速率為32Gbps，與三星近期推出的首款GDDR7基本一致。

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